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La ricerca viene dalla Cornell University e potrebbe permettere lo sviluppo di computer non solo più sottili di quelli attuali ma anche notevolmente più veloci, assemblando tra loro processori sempre più piccoli e un maggior numero di circuiti elettronici e transistor. Per realizzare tale ambizioni, i ricercatori stanno lavorando ai dicalcogenuri dei metalli di transizione (TMD). Si tratta di strutture a strati ottenute da metalli di transizione (o metalli del blocco d), nonmetalli (zolfo e selenio) e oalogeni (tecnezio) che formano un film (in chimica indica una pellicola molto sottile) dello spessore di qualche atomo e dalle elevate capacità conduttive.
Conosciuto da molto tempo, questo materiale funge da ottimo substrato sul quale installare circuiti elettronici. Viene già impiegato nella costruzione di rilevatori di luce e celle fotovoltaiche, ma la sua lavorazione è delicatissima, il che lo rende difficile da produrre in quantità e prezzi commercialmente vantaggiosi. I ricercatori della Cornell però, sono riusciti a rendere i TMD più resistenti di quelli prodotti fino a oggi: lo hanno abbinato al metallocarbonile ottenuto da un metallo di transizione, molecole di monossido di carbonio e composti dello zolfo, per poi passare il tutto nell’idrogeno gassoso a 550 °C in un forno di silicio.
Grazie a questo processo, i TMD possono produrre circuiti dello spessore di appena tre atomi, e su 200 piastre prodotte solo 2 non hanno superato i test di affidabilità. Un risultato straordinario. Si cercano quindi finanziatori mentre nel frattempo si lavora per migliorarne le prestazioni. Il TMD 2.0 potrebbe essere disponibile tra qualche anno: se manterrà le aspettative aprirà la strada a una nuova era dell’informatica, sfornando dispositivi superpotenti e più sottili di un foglio di carta. La ricerca è stata pubblicata su Nature.